解释一下CMOS的特性？
CMOS的各种特性如下-
噪声容限-CMOS逻辑IC的噪声容限明显大于TTLIC。这些电路具有较宽的电源电压范围，并且噪声容限随着电压VCC的提供而改善。
CMOS的噪声容限约为0.45VDD。如果工作电压为12V，噪声容限将为5.4V。这意味着除非拾取的噪声峰值超过5.4V，否则驱动器和负载之间的连接不会受到噪声干扰的影响。因此，这些设备相对不受噪声拾取引起的不良开关的影响。
电源要求-CMOS设备可以在从3V到15V的相当大的电压范围内工作，而TTL设备则不然。功耗水平随着电源电压的增加而增加。
传播延迟-通常CMOS的传播延迟时间高于TTL设备的传播延迟时间，从大约25ns到100ns不等。CMOS器件的级联进一步增加了传播延迟。它可以提高运行速度设备应在更高的电源电压下运行并降低负载电容。传播延迟时间tpLH≈tpHL≈30ns，CMOS门的上升和下降时间为≈60ns。
功耗-CMOS器件的平均或静态功耗约为10mW。它可以在从HIGH状态变为LOW状态或从LOW状态变为HIGH状态时增加，并且增加的幅度取决于操作频率，即开关速度。在1MHz时，功率耗散增加到1mW。功耗也基于容性负载。
浮动输入-在TTL设备的情况下，浮动或开路输入相当于高输入。因此，考虑到栅极的高输入阻抗，CMOS栅极中的浮动输入非常容易受到噪声的影响。这会导致功耗增加。
有线逻辑-如果连接两个反相器CMOS门的输出，则会流过大电流并使输出~VDD/2，不能表示为状态1或0，导致电路的阳功能和大电流也可能损坏晶体管。因此，CMOS器件不应使用有线逻辑。具有开漏输出的CMOS门可用，可以进行线与操作。在这种方法中，N沟道MOSFT的漏极端子在外部可用，并且负载寄存器要从外部链接，因为P沟道负载不出现。